電子元器件參數及電壓參數的定義

有許多客戶在買晶閘管（可控硅）的時候，對于電子元器件的參數沒有特別清晰的定義，今天瑞新小編就大家普及一下：

 

1、器件參數

1.1  電流參數

1.1.1  通態平均電流I_T(AV) ：可控硅元件的穩定電流值。單位：A

1.1.2  正向平均電流I_F(AV)  :整流管的額定電流值。單位：A

2.2  電壓參數

2.2.1   通態峰值電壓V_TM  （可控硅）：單位V

           V_TM 和測試電流I_TM  相關 ，一般數值范圍1V到幾伏不等。

           相同測試電流I_TM 下，V_TM  越小元件的過流能力越強。

2.2.2  正向峰值電壓V_FM (整流管)：單位：V

          V_FM和測試電流I_TM  相關，一般數值范圍0.7-幾伏不等。

          相同測試電流I_TM 下，V_FM  越小元件的過流能力越強。

2.3  通態平均電壓V_T(V_F) :  單位：V

       指全動態測試時期間的壓降值，一般在0.45V-0.8V。

2.4  反向不重復峰值電壓 V_RSM  單位：V

      指元件的轉折電壓

2.5  反向重復峰值電壓 V_RRM     單位：V

       指元件的額定電壓值  

       3000V以內    V_RRM =0.9 V_RSM

       3000V以上    V_RRM = V_RSM -100

2.6  斷態不重復峰值電壓  V_DSM   單位：V

       指元件的正向轉折電壓

2.7  斷態峰值電壓  V_DRM   單位：V

       指元件的額定電壓值    

       3000V 以內   V_DRM =0.9 V_DSM

       3000V以上    V_DRM = V_DSM  - 100

2.8   可控硅的陰控電阻R_KG    單位：Ω  典型值：5-40 Ω

2.9   門極電壓：V_G   單位：V   典型值：  0.7-4V

        門極電流：I_G   單位：A    典型值：15-400mA

        指可控硅開通的最小電壓和電流值。

2.10  電路換向關斷時間  tg    單位：us

         一般快速和高頻元件的tg是一個關鍵參數，關斷時間和頻率的對應關系：

        工頻指 50HZ或60HZ，普通可控硅可滿足

        中頻指60HZ—1500HZ，tg ：20-150 us

        亞高頻指  1500HZ- 4000HZ，tg 12-20us

        高頻指  4000HZ- 20000HZ， tg:8us以內。

        超高頻率：20000HZ  需特種器件實現  。